Cover Image

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю

P-n junction semiconductor photodetectors are widely used in various fields of science and technology, including automation and telecontrol, instrumentation equipment, tracking systems, guidance, etc. The most demanded photoelectronic devices are silicon p-i-n photodiodes (PD). Their main field of a...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2021
Main Authors:	Kukurudziak, Mykola, Dobrovolsky, Yuriy
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021
Subjects:	фотодіод кремній імпульсна чутливість
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.61
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
by: Kukurudziak , Mykola, et al.
Published: (2020)

Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
by: Kukurudziak, M. S.
Published: (2023)

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
by: Kukurudziak, Mykola, et al.
Published: (2023)

Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
by: Kukurudziak, M. S.
Published: (2023)

ТРАНЗИСТОРНИЙ РЕЗОНАНСНИЙ ІНВЕРТОР НАПРУГИ З НЧ ІМПУЛЬСНОЮ МОДУЛЯЦІЄЮ ДЛЯ УСТАНОВОК ІНДУКЦІЙНОГО НАГРІВУ
by: Герасименко, П.Ю.
Published: (2015)

МОДЕЛЬ РЕЗОНАНСНОГО ТРАНЗИСТОРНОГО ІНВЕРТОРА НАПРУГИ З НИЗЬКОЧАСТОТНОЮ ІМПУЛЬСНОЮ МОДУЛЯЦІЄЮ
by: Юрченко, О.М., et al.
Published: (2010)

Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
by: Kshevetskyi, Oleg, et al.
Published: (2025)

ВИСОКОВОЛЬТНА УСТАНОВКА ІМПУЛЬСНОЮ ПОТУЖНІСТЮ 3 МВТ ДЛЯ ЗНЕЗАРАЖЕННЯ ВОДИ У ПОТОЦІ ЗА ДОПОМОГОЮ НАНОСЕКУНДНИХ РОЗРЯДІВ У ГАЗОВИХ БУЛЬКАХ
by: Бойко, М.І., et al.
Published: (2020)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
by: Fedorenko, Artem
Published: (2020)

Розробка технології виготовлення сенсорних чипів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико-механічними характеристиками для оптичних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу
by: Данько, В.А., et al.
Published: (2017)

ОСОБЛИВОСТІ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК СИСТЕМ РЕГУЛЮВАННЯ ІЗ ОДНОСТОРОННЬОЮ ТА ДВОСТОРОННЬОЮ ШИРОТНО-ІМПУЛЬСНИМИ МОДУЛЯЦІЯМИ
by: Щербак, Я.В., et al.
Published: (2023)

Оптимізація вмісту вуглецю і марганцю в сталі 110Г13Л: Processy litʹâ, 2020, Tom 142, №4, p.26-33
by: Локтіонов-Ремізовський, В. А., et al.
Published: (2020)

ПЕРЕТВОРЮВАЛЬНА СИСТЕМА З ОБМОТКАМИ ТРАНСФОРМАТОРА ЗА СХЕМОЮ ПОДВІЙНОГО ТРИКУТНИКА НА БАЗІ ІНВЕРТОРІВ ІЗ СЕРЕДНЬОЮ ТОЧКОЮ В КОЛІ ЖИВЛЕННЯ ТА З БАГАТОЗОННОЮ СИНХРОННОЮ ШІМ
by: Олещук, В., et al.
Published: (2020)

Позиційно-чутливий кремнієвий детектор для рентгенівської дифрактометрії швидкоплинних процесів
by: Пугач, В.М.
Published: (2014)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
by: M. S. Kukurudziak
Published: (2023)

КРИТЕРІЇ ФОРМУВАННЯ СПЕКТРАЛЬНИХ КАНАЛІВ ДЛЯ РЕАЛІЗАЦІЇ БАГАТОКАНАЛЬНИХ МЕТОДІВ ТЕРМОМЕТРІЇ ВИПРОМІНЕННЯ
by: Гоц, Наталія Євгенівна
Published: (2012)

ЗОНИ ЕФЕКТИВНОГО РЕГУЛЮВАННЯ НАПРУГИ ДЖЕРЕЛАМИ РОЗОСЕРЕДЖЕНОЇ ГЕНЕРАЦІЇ З ІНВЕРТОРНИМ ПРИЄДНАННЯМ У РОЗПОДІЛЬНІЙ ЕЛЕКТРИЧНІЙ МЕРЕЖІ
by: Труніна, Г.О.
Published: (2014)

АНАЛІЗ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПРОЦЕСІВ В КОЛІ «ОБМЕЖУВАЧ НАПРУГИ – ФІЛЬТР НИЖНІХ ЧАСТОТ» ЗА ДІЇ ВИСОКОВОЛЬТНОЇ ІМПУЛЬСНОЇ ЗАВАДИ З МЕРЕЖІ ЕЛЕКТРОЖИВЛЕННЯ
by: Павловський, В.О., et al.
Published: (2023)

МЕТОД КЛАСИФІКАЦІЇ ЗОБРАЖЕНЬ ПЛЯМ ЛАЗЕРНИХ ПУЧКІВ ІЗ ЗАСТОСУВАННЯМ ПАРАЛЕЛЬНО-ІЄРАРХІЧНОЇ МЕРЕЖІ ІЗ ПІДВИЩЕНОЮ ТОЧНІСТЮ
by: Тимченко, Л. І., et al.
Published: (2014)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
by: M. S. Kukurudziak, et al.
Published: (2021)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
by: M. S. Kukurudziak
Published: (2023)

Фотоприймальний пристрій підвищеної надійності та тривкості до фонової освітленості для FSO
by: Lipka, Volodymyr, et al.
Published: (2025)

Гібридна згорткова мережа для оброблення медичних зображень та виявлення раку молочної залози
by: Zaychenko, Yuriy, et al.
Published: (2022)

Чутливість матриць ПЗЗ із електронним множенням
by: Sizov, F. F., et al.
Published: (2018)

Створення хромової карбідосталі з підвищеною зносостійкістю
by: Шевченко, О.М., et al.
Published: (2012)

ВПЛИВ ПУЛЬСАЦІЙ ІМПУЛЬСНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА НА ПОХИБКУ СЛІДКУВАННЯ ЗА ШВИДКІСТЮ БОРТОВОГО ЕЛЕКТРОПРИВОДА
by: Рослік, О.А., et al.
Published: (2024)

АНАЛІЗ ПОКАЗНИКІВ ЕНЕРГОЕФЕКТИВНОСТІ КОРЕКТОРА КОЕФІЦІЄНТА ПОТУЖНОСТІ ПРИ РІЗНИХ СПОСОБАХ ШИРОТНО-ІМПУЛЬСНОЇ МОДУЛЯЦІЇ
by: Степенко , С.А.
Published: (2014)

Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
by: Vikulin, I. M., et al.
Published: (2018)

Анализ структурно-химического состояния и классификация оксидных и металлических фаз системы кремний−кальций−барий−кислород. Сплавы силикокальцийбария. Сообщение 2
by: Белов, Б.Ф., et al.
Published: (2018)

Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію
by: Karachevtseva, L. A., et al.
Published: (2018)

Легований кремнієм високоміцний чавун та його застосування: Processy litʹâ, 2020, Tom 139, №1, p.20-29
by: Бубликов, В. Б., et al.
Published: (2020)

Сингулярно збурені рівняння з імпульсною дією
by: Самойленко, А.М., et al.
Published: (2002)

ПІДВИЩЕННЯ СТІЙКОСТІ ДО ДІЇ ШУМІВ І ІНДУСТРІАЛЬНИХ ЗАВАД ВИСОКОЧУТЛИВИХ ВИМІРЮВАЛЬНИХ КАНАЛІВ СЕНСОРНИХ СИСТЕМ
by: Мельник, В.Г., et al.
Published: (2021)

Розв’язання задач з підвищеною точністю обчислень
by: Опанасенко, В.М., et al.
Published: (2011)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
by: M. S. Kukurudziak, et al.
Published: (2020)

ДОСЛІДЖЕННЯ СВІТЛОДІОДНИХ ДЖЕРЕЛ СВІТЛА У ВИПАДКУ ІМПУЛЬСНОГО ЖИВЛЕННЯ
by: Андрійчук, В.А., et al.
Published: (2020)

Ефективність модифікування заевтектичного силуміну дрібнокристалічною лігатурою al–р: Processy litʹâ, 2021, Tom 146, №4, p.40-47
by: Сінчук, А. В., et al.
Published: (2021)

Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню
by: Kutova, O. Yu., et al.
Published: (2018)

Вплив температурноспричинених змін будови розплаву системи Al–Si на структуру і електричний опір сплаву в твердому стані
by: Khristenko, V. V., et al.
Published: (2023)