Buchumschlag

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6

Surface‑barrier structures of the type Pb/δ-layer/р-Pb0,87Sn0,13Te0,96Se0,04/р+-Pb0,8Sn0,2Te/Au. were fabricated using liquid‑phase epitaxy and thermal vacuum deposition. At a measurement temperature of 170 K, with a peak wavelength of 8.2 μm and a cutoff wavelength of 8.5 μm, they exhibited a diffe...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Tkachuk, A. I., Tsarenko, O. N., Raybets, S. I., Tkachuk, I. Yu., Kovalyov, Yu. G.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	жидкофазная эпитаксия поверхностно-барьерные структуры фотовольтаический сенсор
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.42
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
von: Исмайлов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Manifestation of the Upper Hubbard band in the 2D Hubbard model at low electron density
von: Kagan, M.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Теплоемкость твердых растворов ³Не в ⁴Не
von: Анцыгина, Т.Н., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Магнитосопротивление наноуглеродных материалов на основе углеродных нанотрубок
von: Лень, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Теплоемкость электронного газа на поверхности нанотрубки со сверхрешеткой в магнитном поле
von: Ермолаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Импактные структуры в морях и океанах
von: Гуров, Е.П.
Veröffentlicht: (2016)

Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
von: Фальковский, Л.А.
Veröffentlicht: (2011)

Двумерный оператор Паули в магнитном поле
von: Гриневич, П.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

ДАТЧИКИ ВИГИНУ НА ОСНОВІ БІОНАНОКОМПОЗИТІВ ІЗ НАНОЦЕЛЮЛОЗИ ТА ПОЛІВІНІЛОВОГО СПИРТУ ДЛЯ НОСИМОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
von: NAIDONOV, A., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Структура и свойства твердых растворов Ar–Kr
von: Солодовник, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Восстановление медьсодержащих твердых растворов со структурой шпинели
von: Зиновик, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Повышение электромагнитной помехоустойчивости сигнальных преобразователей на сенсорах Холла
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Charge and spin effects in mesoscopic Josephson junctions (Review Article)
von: Krive, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Spontaneous and persistent currents in superconductive and mesoscopic structures (Review Article)
von: Kulik, I.O.
Veröffentlicht: (2004)

Низкотемпературная пластичность разбавленных твердых растворов Ne в n-H₂
von: Алексеева, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Низкотемпературная аномалия пластичности концентрированных ГЦК твердых растворов: система Pb–In
von: Исаев, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
von: Несмелова, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Кривая фазового расслоения ГПУ слабых твердых растворов ³He-⁴He
von: Ганьшин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Структура и параметр ориентационного порядка твердых растворов Ar-CO₂
von: Стржемечный, М.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)