Зображення обкладинки

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6

Surface‑barrier structures of the type Pb/δ-layer/р-Pb0,87Sn0,13Te0,96Se0,04/р+-Pb0,8Sn0,2Te/Au. were fabricated using liquid‑phase epitaxy and thermal vacuum deposition. At a measurement temperature of 170 K, with a peak wavelength of 8.2 μm and a cutoff wavelength of 8.5 μm, they exhibited a diffe...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Tkachuk, A. I., Tsarenko, O. N., Raybets, S. I., Tkachuk, I. Yu., Kovalyov, Yu. G.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Теми:	жидкофазная эпитаксия поверхностно-барьерные структуры фотовольтаический сенсор
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.42
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)

Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
за авторством: Исмайлов, К.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Manifestation of the Upper Hubbard band in the 2D Hubbard model at low electron density
за авторством: Kagan, M.Yu., та інші
Опубліковано: (2011)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Теплоемкость твердых растворов ³Не в ⁴Не
за авторством: Анцыгина, Т.Н., та інші
Опубліковано: (1995)

Магнитосопротивление наноуглеродных материалов на основе углеродных нанотрубок
за авторством: Лень, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Теплоемкость электронного газа на поверхности нанотрубки со сверхрешеткой в магнитном поле
за авторством: Ермолаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)

Импактные структуры в морях и океанах
за авторством: Гуров, Е.П.
Опубліковано: (2016)

Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
за авторством: Фальковский, Л.А.
Опубліковано: (2011)

Двумерный оператор Паули в магнитном поле
за авторством: Гриневич, П.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

ДАТЧИКИ ВИГИНУ НА ОСНОВІ БІОНАНОКОМПОЗИТІВ ІЗ НАНОЦЕЛЮЛОЗИ ТА ПОЛІВІНІЛОВОГО СПИРТУ ДЛЯ НОСИМОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
за авторством: NAIDONOV, A., та інші
Опубліковано: (2024)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Структура и свойства твердых растворов Ar–Kr
за авторством: Солодовник, А.А., та інші
Опубліковано: (2019)

Восстановление медьсодержащих твердых растворов со структурой шпинели
за авторством: Зиновик, Е.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Повышение электромагнитной помехоустойчивости сигнальных преобразователей на сенсорах Холла
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2013)

Charge and spin effects in mesoscopic Josephson junctions (Review Article)
за авторством: Krive, I.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Spontaneous and persistent currents in superconductive and mesoscopic structures (Review Article)
за авторством: Kulik, I.O.
Опубліковано: (2004)

Низкотемпературная пластичность разбавленных твердых растворов Ne в n-H₂
за авторством: Алексеева, Л.А., та інші
Опубліковано: (1997)

Низкотемпературная аномалия пластичности концентрированных ГЦК твердых растворов: система Pb–In
за авторством: Исаев, Н.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Кривая фазового расслоения ГПУ слабых твердых растворов ³He-⁴He
за авторством: Ганьшин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2000)

Структура и параметр ориентационного порядка твердых растворов Ar-CO₂
за авторством: Стржемечный, М.А., та інші
Опубліковано: (1998)