Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

• Дата: 2006
• Автори: Kovtun, G. P., Shcherban’, A. P.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
• Теми: монокристаллы арсенида галлия; полуизолирующий арсенид галлия; методы выращивания; метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава; характеристики установок
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.03
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A brief description and comparison of the liquid-encapsulated Czochralski (LEC) method with other growth techniques is presented, as well as its role in the development of semi-insulating GaAs technology. Information is provided on modern developments in growth equipment for producing large-diameter...