Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе

• Datum: 2006
• 1. Verfasser: Jafarova, E. A.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
• Schlagworte: p–n-переход; глубокие уровни; нестационарная электронная спектроскопия; фотоемкость; переходные металлы
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.39
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The limits of external influences and conditions (temperature, γ-irradiation) are determined under which the stability of parameters and the concentration of nickel levels are preserved, which is necessary when using nickel as an impurity in microelectronics. Methods are proposed for fabricating a s...