Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора

• Дата: 2006
• Автор: Yodgorova, D. М.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
• Теми: полевой фототранзистор; фоточувствительность; динамическое сопротивление; легированный оловом; р–n-переход
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.43
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

It has been experimentally shown that in a field phototransistor with a channel doped with tin, the region of high dynamic resistance is extended, in contrast to a transistor doped with tellurium. This difference is related to the specific mechanisms of channel cutoff in each case. The mechanisms of...