Buchumschlag

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн

An AuGe–TiB2–Au contact to gallium arsenide has been developed, possessing the property of injecting hot electrons. The barrier height is 0.25 eV for GaAs with a carrier concentration of (0.3–1)·1016 cm–3. A diode package with a capacitance of 0.04 pF has been designed. The fabricated Gunn diodes pr...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Nikolaienko, Yu. E.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Schlagworte:	диод Ганна мезаструктура диборид титана горячие электроны
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.05
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Конструктивно-технологические особенности автодинных ГИС КВЧ на диодах Ганна
von: Votoropin, S. D.
Veröffentlicht: (2006)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)

Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
von: Karushkin, N. F., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
von: Brus, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Confinement effects on decay rate of surface electron states over liquid helium
von: Sokolov, S.S., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Photoresonance and conductivity of surface electrons on liquid ³He
von: Konstantinov, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Electron attachment to atomic hydrogen on the surface of liquid ⁴He
von: Arai, T., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Dynamical structure factor of two-dimensional electrons over a helium film
von: Patricia Cristina Venturini, et al.
Veröffentlicht: (2008)

Dip-эффект в проводимости 2D-электронов на пленке гелия с шероховатой подложкой
von: Лейдерер, П., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Режимы работы лавинно-генераторных диодов микроволнового диапазона
von: Максимов, П.П.
Veröffentlicht: (2016)

Динамика двухчастотных лавинно-генераторных диодов микроволнового диапазона
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Радиотелескоп декаметрового диапазона длин волн УРАН-2
von: Мень, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Тенденции развития клинотронов миллиметрового диапазона длин волн
von: Лысенко, Е.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Принципиально новый подход к изготовлению СВЧ-элементов и узлов систем связи и навигации
von: Yatsunenko, A. G.
Veröffentlicht: (2005)

Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
von: Яковлев, И.В.
Veröffentlicht: (2007)

Магнитный радиоспектроскопический комплекс «КВАРК» миллиметрового диапазона длин волн
von: Недух, С.В.
Veröffentlicht: (2008)

Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
von: Yakovlev, I. V.
Veröffentlicht: (2007)

Приемо-передающий радиолокационный модуль миллиметрового диапазона длин волн
von: Зуйков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Активный смеситель сдвига частоты миллиметрового диапазона на диодах Ганна
von: Плаксин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Полупроводниковый генератор миллиметрового диапазона на запредельном волноводе
von: Plaksin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)