Зображення обкладинки

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн

An AuGe–TiB2–Au contact to gallium arsenide has been developed, possessing the property of injecting hot electrons. The barrier height is 0.25 eV for GaAs with a carrier concentration of (0.3–1)·1016 cm–3. A diode package with a capacitance of 0.04 pF has been designed. The fabricated Gunn diodes pr...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2006
Автори:	Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Nikolaienko, Yu. E.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Теми:	диод Ганна мезаструктура диборид титана горячие электроны
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.05
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Конструктивно-технологические особенности автодинных ГИС КВЧ на диодах Ганна
за авторством: Votoropin, S. D.
Опубліковано: (2006)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)

Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Brus, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Confinement effects on decay rate of surface electron states over liquid helium
за авторством: Sokolov, S.S., та інші
Опубліковано: (2008)

Photoresonance and conductivity of surface electrons on liquid ³He
за авторством: Konstantinov, D., та інші
Опубліковано: (2008)

Electron attachment to atomic hydrogen on the surface of liquid ⁴He
за авторством: Arai, T., та інші
Опубліковано: (2008)

Dynamical structure factor of two-dimensional electrons over a helium film
за авторством: Patricia Cristina Venturini, та інші
Опубліковано: (2008)

Dip-эффект в проводимости 2D-электронов на пленке гелия с шероховатой подложкой
за авторством: Лейдерер, П., та інші
Опубліковано: (2008)

Режимы работы лавинно-генераторных диодов микроволнового диапазона
за авторством: Максимов, П.П.
Опубліковано: (2016)

Динамика двухчастотных лавинно-генераторных диодов микроволнового диапазона
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2015)

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Радиотелескоп декаметрового диапазона длин волн УРАН-2
за авторством: Мень, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Тенденции развития клинотронов миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Лысенко, Е.Е., та інші
Опубліковано: (2008)

Принципиально новый подход к изготовлению СВЧ-элементов и узлов систем связи и навигации
за авторством: Yatsunenko, A. G.
Опубліковано: (2005)

Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Яковлев, И.В.
Опубліковано: (2007)

Магнитный радиоспектроскопический комплекс «КВАРК» миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Недух, С.В.
Опубліковано: (2008)

Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Yakovlev, I. V.
Опубліковано: (2007)

Приемо-передающий радиолокационный модуль миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Зуйков, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Активный смеситель сдвига частоты миллиметрового диапазона на диодах Ганна
за авторством: Плаксин, С.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Полупроводниковый генератор миллиметрового диапазона на запредельном волноводе
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)