Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task we...
Gespeichert in:
| Datum: | 2020 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |