Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
The processes of drain current saturation in a p–n junction field‑effect transistor have been investigated. It is shown that, when analyzing saturation in a common‑source circuit or under self‑bias conditions, it is necessary to take into account the different voltage dependencies across the drain–g...
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.58 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861499674847870976 |
|---|---|
| author | Yodgorova, D. M. |
| author_facet | Yodgorova, D. M. |
| author_sort | Yodgorova, D. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-03T20:15:54Z |
| description | The processes of drain current saturation in a p–n junction field‑effect transistor have been investigated. It is shown that, when analyzing saturation in a common‑source circuit or under self‑bias conditions, it is necessary to take into account the different voltage dependencies across the drain–gate and gate–source junctions in each case. The obtained results are of interest for the design of various circuits based on field‑effect transistors. |
| first_indexed | 2026-04-04T01:00:29Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-930 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-04T01:00:29Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9302026-04-03T20:15:54Z Mechanism of drain current saturation in a p–n junction field effect transisto Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом Yodgorova, D. M. field‑effect transistor drain current self‑bias mode drain current saturation полевой транзистор ток стока режим автоматического смещения насыщение тока стока The processes of drain current saturation in a p–n junction field‑effect transistor have been investigated. It is shown that, when analyzing saturation in a common‑source circuit or under self‑bias conditions, it is necessary to take into account the different voltage dependencies across the drain–gate and gate–source junctions in each case. The obtained results are of interest for the design of various circuits based on field‑effect transistors. Приведены результаты исследования процессов насыщения тока стока полевого транзистора с р-n-переходом. Показано, что при анализе процессов насыщения тока стока в схеме с общим истоком или в режиме автоматического смещения необходимо учитывать различный характер зависимости напряжений, падающих на переходах "сток-затвор" и "затвор-исток", для каждого случая. Полученные результаты представляют интерес для проектирования различных схем на основе полевых транзисторов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.58 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 58-60 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 58-60 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.58/841 Copyright (c) 2006 D. M. Yodgorova http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | полевой транзистор ток стока режим автоматического смещения насыщение тока стока Yodgorova, D. M. Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_alt | Mechanism of drain current saturation in a p–n junction field effect transisto |
| title_full | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_fullStr | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_full_unstemmed | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_short | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_sort | механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| topic | полевой транзистор ток стока режим автоматического смещения насыщение тока стока |
| topic_facet | field‑effect transistor drain current self‑bias mode drain current saturation полевой транзистор ток стока режим автоматического смещения насыщение тока стока |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.58 |
| work_keys_str_mv | AT yodgorovadm mechanismofdraincurrentsaturationinapnjunctionfieldeffecttransisto AT yodgorovadm mehanizmnasyŝeniâtokastokapolevogotranzistorasrnperehodom |