Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом

• Datum: 2006
• 1. Verfasser: Yodgorova, D. M.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
• Schlagworte: полевой транзистор; ток стока; режим автоматического смещения; насыщение тока стока
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.58
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The processes of drain current saturation in a p–n junction field‑effect transistor have been investigated. It is shown that, when analyzing saturation in a common‑source circuit or under self‑bias conditions, it is necessary to take into account the different voltage dependencies across the drain–g...