Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом

The processes of drain current saturation in a p–n junction field‑effect transistor have been investigated. It is shown that, when analyzing saturation in a common‑source circuit or under self‑bias conditions, it is necessary to take into account the different voltage dependencies across the drain–g...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автор: Yodgorova, D. M.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.58
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси