Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод

• Дата: 2006
• Автор: Dobrovolsky, Yu. G.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
• Теми: фотодиод; кремний; термостатирование; термоэлектрический модуль; темновой ток; ток шума
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.39
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A design of a silicon p–i–n photodiode crystal thermostabilized by a Peltier thermoelectric module is proposed and investigated. It is shown that such a design allows the noise current density to remain practically unchanged within the temperature range of 20–85 °C.