Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
Simulation of semiconductor structures provides an opportunity to reduce manufacturing costs and optimize the parameters of integrated circuit elements and devices. To design integrated circuits with specified properties, it is necessary to obtain the required electrical characteristics of the circu...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.45 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |