Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора

Simulation of semiconductor structures provides an opportunity to reduce manufacturing costs and optimize the parameters of integrated circuit elements and devices. To design integrated circuits with specified properties, it is necessary to obtain the required electrical characteristics of the circu...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2006
Hauptverfasser: Leonov, N. I., Lemeshevskaya, A. M., Dudar, N. L., Getzman, S. N.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.45
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment