Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
Simulation of semiconductor structures provides an opportunity to reduce manufacturing costs and optimize the parameters of integrated circuit elements and devices. To design integrated circuits with specified properties, it is necessary to obtain the required electrical characteristics of the circu...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | Leonov, N. I., Lemeshevskaya, A. M., Dudar, N. L., Getzman, S. N. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.45 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
за авторством: Dudar, N. L., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dudar, N. L., та інші
Опубліковано: (2009)
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)
Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Gasanov, A. M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Gasanov, A. M., та інші
Опубліковано: (2004)
Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
за авторством: Yemtsev, P. A.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Yemtsev, P. A.
Опубліковано: (2004)
Методы и средства компьютерного проектирования в сети Интернет
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Baranov, V. V.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Baranov, V. V.
Опубліковано: (2005)
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si
за авторством: Iskender-zade, Z. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Iskender-zade, Z. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Shangereeva, B. A.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Shangereeva, B. A.
Опубліковано: (2008)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Rogov, R. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Rogov, R. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Reva, V. Р., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Reva, V. Р., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)
Источник высоковольтного питания генераторов озона на тлеющем разряде
за авторством: Бруев, А.А., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Бруев, А.А., та інші
Опубліковано: (2000)
Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Выявление резервов производства методами статистического моделирования по пассивным данным
за авторством: Dolgov, Yu. A.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dolgov, Yu. A.
Опубліковано: (2004)
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)
Интегрированный метод принятия решений об эффективной структуре технологических процессов
за авторством: Aleksejev, N. A.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Aleksejev, N. A.
Опубліковано: (2004)
ОСОБЛИВОСТІ НАРАХУВАННЯ КАНАЛЬНОГО ЗБОРУ (НА ПРИКЛАДІ ОДЕСЬКОГО ПОРТУ)
за авторством: Ustymenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ustymenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Об устойчивости горизонтального движения самолёта
за авторством: Хорошун, А.С.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Хорошун, А.С.
Опубліковано: (2016)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Lesyuk, R. I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lesyuk, R. I., та інші
Опубліковано: (2010)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)
КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации
за авторством: Verbitsky, V. G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Verbitsky, V. G., та інші
Опубліковано: (2004)
Основні етапи історичного розвитку МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2010)
Правотворча функція Генеральної конференції МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2012)
Функція визначення загальної політики МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2011)
Математическая модель технологического процесса по выборкам малого объема
за авторством: Dolgov, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dolgov, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Основные понятия и математические аспекты в задачах канального кодирования: многоальтернативные правила
за авторством: Юдин, А.К., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Юдин, А.К., та інші
Опубліковано: (2016)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
за авторством: Strikha, M. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Strikha, M. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Инженерная оценка роста низкотемпературных слоистых водородных расслоений в случае их канального слияния
за авторством: Дядин, В.П., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дядин, В.П., та інші
Опубліковано: (2009)
Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
за авторством: Filynyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Filynyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2006)
Универсальная схема управления мощными высоковольтными МОП-инверторами, исключающая тиристорный эффект
за авторством: Gavrilyuk, G. I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Gavrilyuk, G. I., та інші
Опубліковано: (2005)
ЧИСЕЛЬНА МОДЕЛЬ РОБОТИ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО ГРУНТОВОГО КОЛЕКТОРА ТЕПЛОНАСОСНОЇ УСТАНОВКИ
за авторством: Basok, B.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Basok, B.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Чисельна модель роботи горизонтального грунтового колектора теплонасосної установки
за авторством: Басок, Б.І., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Басок, Б.І., та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006) -
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
за авторством: Dudar, N. L., та інші
Опубліковано: (2009) -
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010) -
Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)