Зображення обкладинки

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора

Simulation of semiconductor structures provides an opportunity to reduce manufacturing costs and optimize the parameters of integrated circuit elements and devices. To design integrated circuits with specified properties, it is necessary to obtain the required electrical characteristics of the circu...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2006
Автори:	Leonov, N. I., Lemeshevskaya, A. M., Dudar, N. L., Getzman, S. N.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Теми:	рМОП-транзистор технологический маршрут моделирование
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.45
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
за авторством: Dudar, N. L., та інші
Опубліковано: (2009)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Методы и средства компьютерного проектирования в сети Интернет
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Shangereeva, B. A.
Опубліковано: (2008)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Reva, V. Р., та інші
Опубліковано: (2007)

Источник высоковольтного питания генераторов озона на тлеющем разряде
за авторством: Бруев, А.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

ОСОБЛИВОСТІ НАРАХУВАННЯ КАНАЛЬНОГО ЗБОРУ (НА ПРИКЛАДІ ОДЕСЬКОГО ПОРТУ)
за авторством: Ustymenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Основні етапи історичного розвитку МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2010)

Правотворча функція Генеральної конференції МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2012)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Lesyuk, R. I., та інші
Опубліковано: (2010)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Инженерная оценка роста низкотемпературных слоистых водородных расслоений в случае их канального слияния
за авторством: Дядин, В.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
за авторством: Filynyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2006)

Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
за авторством: Нинидзе, Г.К., та інші
Опубліковано: (2005)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2004)

Трехпараметрический генераторный датчик
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

ЧИСЕЛЬНА МОДЕЛЬ РОБОТИ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО ГРУНТОВОГО КОЛЕКТОРА ТЕПЛОНАСОСНОЇ УСТАНОВКИ
за авторством: Basok, B.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Чисельна модель роботи горизонтального грунтового колектора теплонасосної установки
за авторством: Басок, Б.І., та інші
Опубліковано: (2017)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)

Течения около двумерного горизонтального клина в устойчиво стратифицированной жидкости
за авторством: Димитриева, Н.Ф.
Опубліковано: (2018)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2010)

Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Метод параллельной генерации тестов на переключательном уровне для МОП-схем
за авторством: Андрюхин, А.И.
Опубліковано: (2011)

Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
за авторством: Гаджиев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2001)