Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
A method for obtaining an abrupt p–n junction by liquid-phase epitaxy is presented. It consists in the growth of a thin intermediate p-type layer on a heavily doped p+ substrate, followed by the growth of an n-type layer from a melt cooled at a decreasing rate.
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.59 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Nikitinsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Nikitinsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование эффективности проволочного радиатора новой конструкции
von: Kholvinskaya, L. M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kholvinskaya, L. M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
On one method for the solution of an analog of the Cauchy problem for a polycaloric equation with singular Bessel operator
von: Sh. T. Karimov
Veröffentlicht: (2017)
von: Sh. T. Karimov
Veröffentlicht: (2017)
Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
von: Struhljak, N. Ja., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Struhljak, N. Ja., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
von: Balitsky, A. A.
Veröffentlicht: (2006)
von: Balitsky, A. A.
Veröffentlicht: (2006)
Scientific and technical fundamentals for explosive destruction of the mass composed of rocks with different hardness
von: Zairov, Sh., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Zairov, Sh., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Yodgorova, D. М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Yodgorova, D. М.
Veröffentlicht: (2006)
ТЕПЛОВЫЕ И ТЕРМОМЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕМЕНТОВ СТАТОРА В ДИНАМИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ ТУРБОГЕНЕРАТОРА ТГВ-200 ПРИ РАЗЛИЧНЫХ УСЛОВИЯХ ВЕНТИТЯЦИИ СТЕРЖНЕЙ ОБМОТКИ
von: Кучинский, К.А.
Veröffentlicht: (2011)
von: Кучинский, К.А.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние низкочастотного акустического излучения на температуру нагретого тела
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Research of the photo-electric characteristics microphototerminal
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2006)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2012)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
von: Sh. B. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Sh. B. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
К вопросу о минимизации числа межслойных переходов при трассировке печатных плат
von: Luzin, S. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Luzin, S. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Voronin, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Voronin, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2006)
АНАЛИЗ ТЕМПЕРАТУРНОГО ПОЛЯ РОТОРА ТУРБОГЕНЕРАТОРА МОЩНОСТЬЮ 300 МВт ПРИ АСИММЕТРИИ ОХЛАЖДЕНИЯ ПАЗОВОЙ ЗОНЫ
von: Кучинский , К.А.
Veröffentlicht: (2013)
von: Кучинский , К.А.
Veröffentlicht: (2013)
Сравнительные исследования двухканального щелевого теплообменника и существующего на рынке аналога
von: Malkin, E. C., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Malkin, E. C., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
von: Ryuhtin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ryuhtin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Технологические особенности получения отливок транспортной тележки грузовых вагонов
von: Болюх, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Болюх, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Regional and global implications of the Kosovo's independence
von: Sh. Sh. Hakhramanova
Veröffentlicht: (2010)
von: Sh. Sh. Hakhramanova
Veröffentlicht: (2010)
Goursat-Type Problem for a Higher-Order Equation
von: Sh. Sh. Jusubov
Veröffentlicht: (2013)
von: Sh. Sh. Jusubov
Veröffentlicht: (2013)
Nonlocal problem with integral conditions for a high-order hyperbolic equation
von: Sh. Sh. Jusubov
Veröffentlicht: (2017)
von: Sh. Sh. Jusubov
Veröffentlicht: (2017)
Ähnliche Einträge
-
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)