Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії

• Дата: 2020
• Автори: Tsybulenko, Vadym, Shutov, Stanislav
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020
• Теми: скануюча рідиннофазова епітаксія; неізоперіодні гетероструктури; Ge; GaP; стала ґратки
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.33
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Heterostructures with lattice mismatched and compositionally different layers are widely used in modern electronic and optoelectronic device engineering. Generally such structures are manufactured by the methods of metal-organic vapor phase epitaxy, metal-organic chemical vapor deposition and molecu...