Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії

• Datum: 2020
• Hauptverfasser: Tsybulenko, Vadym, Shutov, Stanislav
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020
• Schlagworte: скануюча рідиннофазова епітаксія; неізоперіодні гетероструктури; Ge; GaP; стала ґратки
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.33
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Heterostructures with lattice mismatched and compositionally different layers are widely used in modern electronic and optoelectronic device engineering. Generally such structures are manufactured by the methods of metal-organic vapor phase epitaxy, metal-organic chemical vapor deposition and molecu...