Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
Heterostructures with lattice mismatched and compositionally different layers are widely used in modern electronic and optoelectronic device engineering. Generally such structures are manufactured by the methods of metal-organic vapor phase epitaxy, metal-organic chemical vapor deposition and molecu...
Gespeichert in:
| Datum: | 2020 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Tsybulenko, Vadym, Shutov, Stanislav |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.33 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
НВП «Електрон-Карат» — 45 років успіху
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
НАНОКАРБІДНІ ПРОЦЕСИ ПРИ МОС-ЕПІТАКСІЇ ІІІ-НІТРИДНИХ СТРУКТУР
von: Осинський, В. І., et al.
Veröffentlicht: (2021) -
НАУКОВО-МЕТОДИЧНИЙ АНАЛІЗ ПЕРЕРОБКИ АЛЮМІНІЄВИХ ШЛАКІВ: Processy litʹâ, 2021, Tom 145, №3, p.3-11
von: Верховлюк, А. М., et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Щодо взаємодії і захоплення металевих крапель доменним шлаком
von: Stepanenko, D. O., et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022)