Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
Heterostructures with lattice mismatched and compositionally different layers are widely used in modern electronic and optoelectronic device engineering. Generally such structures are manufactured by the methods of metal-organic vapor phase epitaxy, metal-organic chemical vapor deposition and molecu...
Gespeichert in:
| Datum: | 2020 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Tsybulenko, Vadym, Shutov, Stanislav |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.33 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: | |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
НВП «Електрон-Карат» — 45 років успіху
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2017)
НАНОКАРБІДНІ ПРОЦЕСИ ПРИ МОС-ЕПІТАКСІЇ ІІІ-НІТРИДНИХ СТРУКТУР
von: Осинський, В. І., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Осинський, В. І., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022)
НАУКОВО-МЕТОДИЧНИЙ АНАЛІЗ ПЕРЕРОБКИ АЛЮМІНІЄВИХ ШЛАКІВ: Processy litʹâ, 2021, Tom 145, №3, p.3-11
von: Верховлюк, А. М., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Верховлюк, А. М., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Щодо взаємодії і захоплення металевих крапель доменним шлаком
von: Stepanenko, D. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Stepanenko, D. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
СТРУКТУРНІ ЗМІНИ ЕНЕРГОСИСТЕМ ТА ВІДПОВІДНІ ЗМІНИ ЇХНІХ ДИНАМІЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2023)
ПРО ДЕЯКІ ВПЛИВИ СКЛАДУ ГЕНЕРУЮЧИХ ПОТУЖНОСТЕЙ НА ДИНАМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕНЕРГОСИСТЕМ
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2022)
СТРУКТУРНІ ЗМІНИ ЕНЕРГОСИСТЕМ ТА ВІДПОВІДНІ ЗМІНИ ЇХНІХ ДИНАМІЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2023)
ПРО ДЕЯКІ ВПЛИВИ СКЛАДУ ГЕНЕРУЮЧИХ ПОТУЖНОСТЕЙ НА ДИНАМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕНЕРГОСИСТЕМ
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Застосування методики термомодульованої диференціальної скануючої калориметрії до вивчення фазових переходів у полімерах
von: Долгошей, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Долгошей, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
von: V. V. Tsybulenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: V. V. Tsybulenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Вплив слабкого магнiтного поля на параметри терагерцового випромiнювання в околi 100 мкм гарячими носiями з p-Ge
von: Bondar, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Bondar, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Морфологічно-залежні стани дефектів у кристалічних плівках руб¬рену, вирощених методом епітаксії з гарячими стінками
von: Skryshevski, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Skryshevski, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2026)
Сто рокiв атомнiй моделi Бора
von: Holod, P. I., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Holod, P. I., et al.
Veröffentlicht: (2019)
ДОСЛІДЖЕННЯ ФАЗОВИХ РІВНОВАГ В СИСТЕМІ MnO-SiO2 МЕТОДОМ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНО-СКАНУЮЧОЇ КАЛОРИМЕТРІЇ (ДСК)
von: Proidak , Yu., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Proidak , Yu., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
von: Козирев, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Козирев, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
von: Fedorenko, Artem
Veröffentlicht: (2020)
von: Fedorenko, Artem
Veröffentlicht: (2020)
Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
von: Tsybulenko, V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Tsybulenko, V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНО-МОДЕЛЬНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ РОЗОСЕРЕДЖЕНОЇ ГЕНЕРАЦІЇ НА ВИНИКНЕННЯ АСИНХРОННИХ РЕЖИМІВ В ОБ’ЄДНАНІЙ ЕНЕРГОСИСТЕМІ УКРАЇНИ
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2024)
ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНО-МОДЕЛЬНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ РОЗОСЕРЕДЖЕНОЇ ГЕНЕРАЦІЇ НА ВИНИКНЕННЯ АСИНХРОННИХ РЕЖИМІВ В ОБ’ЄДНАНІЙ ЕНЕРГОСИСТЕМІ УКРАЇНИ
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Буткевич, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
von: Tsybulenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Tsybulenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї
von: Goriachko, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Goriachko, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Ґратки острівців електронно-діркової рідини в дихалькогенідах при оптичному накачуванні
von: Chernyuk, A.A.
Veröffentlicht: (2025)
von: Chernyuk, A.A.
Veröffentlicht: (2025)
Структура, оптичнi i фотовольтаїчнi властивостi тонких плiвок тетрацену
von: Gorishnyi, M. P., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Gorishnyi, M. P., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Неперервні в часі випадкові блукання з ресетингом в обмеженому ланцюжку
von: Christophorov, L.N.
Veröffentlicht: (2024)
von: Christophorov, L.N.
Veröffentlicht: (2024)
Магнітні наноструктури в пухлинних клітинах (Застосування методів скануючої зондової мікроскопії для дослідження структурної організації магніточутливої фази в пухлинних клітинах карциноми Ерліха)
von: Чехун, В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Чехун, В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
ПРОДУКТИВНІСТЬ СИМБІОТИЧНОЇ СИСТЕМИ СОЯ – BRADYRHIZOBIUM JAPONICUM ЗА ВИКОРИСТАННЯ ШТАМУ РС08 І ОБРОБКИ РОСЛИН НАНОКАРБОКСИЛАТАМИ Ge ТА Mo
von: Обезюк, І. М., et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Обезюк, І. М., et al.
Veröffentlicht: (2026)
ЕФЕКТИВНІСТЬ ВИКОРИСТАННЯ НАНОКАРБОКСИЛАТІВ Zn І Ge ЗА ІНОКУЛЯЦІЇ СОЇ БУЛЬБОЧКОВИМИ БАКТЕРІЯМИ В УМОВАХ ЗАСОЛЕННЯ
von: Обезюк, І. М., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Обезюк, І. М., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi
von: Goriachko, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Goriachko, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Керування інтенсивністю лазерного випромінювання у рідкокристалічних вентилях при записі об’ємної динамічної ґратки
von: Mystetskyi, V., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Mystetskyi, V., et al.
Veröffentlicht: (2023)
μ-деформовані рівняння гравітаційного поля Айнштайна із залежною від μ ефективною космологічною сталою
von: Mykhailiv, O.P., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Mykhailiv, O.P., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Сенсори ультрафіолетового випромінювання на основі твердих розчинів ZnxCd1 – xS
von: Pavelets, S. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Pavelets, S. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Симетрія енергетичних станів з урахуванням інваріантності до інверсії часу та дисперсія фононних гілок у гіротропних кристалах α-LiIO3
von: Naumenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Naumenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Ähnliche Einträge
-
НВП «Електрон-Карат» — 45 років успіху
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
НАНОКАРБІДНІ ПРОЦЕСИ ПРИ МОС-ЕПІТАКСІЇ ІІІ-НІТРИДНИХ СТРУКТУР
von: Осинський, В. І., et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022) -
НАУКОВО-МЕТОДИЧНИЙ АНАЛІЗ ПЕРЕРОБКИ АЛЮМІНІЄВИХ ШЛАКІВ: Processy litʹâ, 2021, Tom 145, №3, p.3-11
von: Верховлюк, А. М., et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)