Зображення обкладинки

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	S. V. Bunak, A. A. Buyanin, V. V. Ilchenko, V. V. Marin, V. P. Melnik, I. M. Khacevich, O. V. Tretyak, A. G. Shkavro
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2010
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349118
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x &lt; 2)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)

Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)

Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)

Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)

Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)

Electron field emission from SiOx films
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)

Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Laser heating effect on Raman spectra of Si nanocrystals embedded into SiOx matrix
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)

Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Nanostructuring the SiOx layers by using laser-induced self-organization
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)

Nanostructuring the SiOₓ layers by using laser-induced self-organization
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)

Температурний та лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)

Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)

The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)

The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Laser-stimulated phase transformations in thin SiOx and CNx–Ni layers
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Chemical composition and light emission properties of Si-rich-SiOx layers prepared by magnetron sputtering
за авторством: Khomenkova, L., та інші
Опубліковано: (2007)

Optical study of thermally induced phase separation in evaporated SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2004)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Disappearance of aligning properties of deposited SiOx films as caused by external factors
за авторством: Kolomzarov, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)