Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Bunak, A. A. Buyanin, V. V. Ilchenko, V. V. Marin, V. P. Melnik, I. M. Khacevich, O. V. Tretyak, A. G. Shkavro |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349118 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)
Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x &lt; 2)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
Electron field emission from SiOx films
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Laser heating effect on Raman spectra of Si nanocrystals embedded into SiOx matrix
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
Температурний та лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
Nanostructuring the SiOx layers by using laser-induced self-organization
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Laser-stimulated phase transformations in thin SiOx and CNx–Ni layers
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers
за авторством: V. A. Karpyna, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. A. Karpyna, та інші
Опубліковано: (2023)
Схожі ресурси
-
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014) -
Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x &lt; 2)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)