Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | O. Hontaruk, O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2010
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349121 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: Vernydub, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Vernydub, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
von: O. P. Budnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: O. P. Budnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Radiative recombination in BiI₃(Mn) and BiI₃(Cr) layered single crystals
von: Motsnyi, F.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Motsnyi, F.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
von: Pashayev, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Pashayev, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
von: S. V. Luniov, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: S. V. Luniov, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2012)
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)