Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: S. I. Vlasov, F. A. Saparov, K. A. Ismailov
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2010
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349376
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS