Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | S. I. Vlasov, F. A. Saparov, K. A. Ismailov |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2010
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349376 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
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