Buchumschlag

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	V. V. Milenin, R. A. Redko
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2010
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349380
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: O. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
von: Red’ko, R., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2011)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2017)

High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
von: R. V. Konakova, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
von: R. V. Konakova, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование регулярной пористой структуры р-InP
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Radiative recombination in BiI₃(Mn) and BiI₃(Cr) layered single crystals
von: Motsnyi, F.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Magnetic susceptibility of n- and p-Si single crystals containing thermodonors
von: Babich, V.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Magnetic susceptibility of n- and p-Si single crystals containing thermodonors
von: V. M. Babich, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)