Formation of the regular porous structure of p-InP
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | Ja. A. Sychikova, V. V. Kidalov, G. A. Sukach |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877898 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
за авторством: Sychikova, J.A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011) -
Porous nanostructured InP: technology, properties, application
за авторством: Arsentyev, I. N., та інші
Опубліковано: (2005) -
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010) -
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)