Зображення обкладинки

Formation of the regular porous structure of p-InP

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	Ja. A. Sychikova, V. V. Kidalov, G. A. Sukach
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2010
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877898
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
за авторством: Sychikova, J.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)

Optical properties of p-type porous GaAs
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
за авторством: Сичікова, Я.О.
Опубліковано: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
за авторством: Колбасов, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2000)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Classifying cubic s-regular graphs of orders 22p and 22p²
за авторством: Talebi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Classifying cubic \(s\)-regular graphs of orders \(22p \) and \( 22p^{2}\)
за авторством: Talebi, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Classifying cubic s-regular graphs of orders 22p and 22p2
за авторством: A. A. Talebi, та інші
Опубліковано: (2013)

Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)

p-Regularity Theory. Tangent Cone Description in the Singular Case
за авторством: A. Prusińska, та інші
Опубліковано: (2015)

p-Regularity Theory. Tangent Cone Description in the Singular Case
за авторством: Prusińska, A., та інші
Опубліковано: (2015)

Technological bases forming porous space surface phosphide indium
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)

Electrical properties of In/p-pbte structures
за авторством: H. P. Malanych, та інші
Опубліковано: (2012)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)

CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)

On application of linear algebra in classification cubic s-regular graphs of order 28p
за авторством: Imani, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Pseudodifferential equations with regular singularity for radial functions of the p-adic argument
за авторством: M. Serdiuk
Опубліковано: (2024)

On application of linear algebra in classification cubic \(s\)-regular graphs of order \(28p\)
за авторством: Imani, A., та інші
Опубліковано: (2018)