A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: R. Aliev, E. Mukhtarov, L. Olimov
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2010
Назва видання:Physical surface engineering
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877911
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS