Aliev, R., Mukhtarov, E., & Olimov, L. (2010). A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Aliev, R., E. Mukhtarov, та L. Olimov. A Non-destructive Method for Measuring the Depth of Occurrence of the P-n Junction of Semiconductor Photoelectric Structures. 2010.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Aliev, R., et al. A Non-destructive Method for Measuring the Depth of Occurrence of the P-n Junction of Semiconductor Photoelectric Structures. 2010.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.