Зображення обкладинки

A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	R. Aliev, E. Mukhtarov, L. Olimov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2010
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877911
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

On the studies of the depth of the Carpathian electro-conductivity anomaly occurrence
за авторством: I. I. Rokitjanskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoelectric state without an external polarizing field in homogeneous semiconductors
за авторством: Z. I. Mirzaeva, та інші
Опубліковано: (2008)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

AUTONOMOUS MEASUREMENT SYSTEM BASED ON MICROCOMPUTER FOR TESTING PHOTOELECTRIC MODULES
за авторством: Gaevskii, A., та інші
Опубліковано: (2022)

Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)

The means and measures aimed at prevent the occurrence of system accidents
за авторством: O. F. Butkevych, та інші
Опубліковано: (2014)

The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

From measurements to reconstructions. The methodology for non-destructive investigations of archaeological and historical monuments
за авторством: M. N. Daragan, та інші
Опубліковано: (2017)

Metrological support of measurements of the depth of Svitiaz lake
за авторством: M. M. Melnyk, та інші
Опубліковано: (2015)

The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)

Assessment of the service degradation of a gas pipeline steel by destructive and non-destructive method
за авторством: Yu. V. Milman, та інші
Опубліковано: (2011)

Photoelectric phenomena in the hyperfine (3-20 μm) gap gas discharge with a semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2015)

Heated electrons and holes in asymmetric p-n-junction located in the microwave field
за авторством: M. G. Dadamirzaev
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Vadym Yevhenovych Lashkaryov, the Out-standing Ukrainian Physicist of the 20th Century, the discoverer of the p-n junction in semiconductors (dedicated to the 120th anniversary of his birthday)
за авторством: M. V. Strikha
Опубліковано: (2023)

Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Problem of non-destructive determination of residual stresses in the pipeline on the bases of data of magnetoelastic measurements
за авторством: V. Chekurin, та інші
Опубліковано: (2014)

The depth-based classification method based on remote concentration measure for asymmetric data processing
за авторством: A. A. Galkin
Опубліковано: (2016)

S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

Classification of methods for measuring current-voltage characteristics of semiconductor devices
за авторством: E. A. Ermolenko
Опубліковано: (2014)

Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)

Measurement of depths of grooves of sensitivity reference according to its image
за авторством: N. V. Opyr, та інші
Опубліковано: (2011)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)