Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Author: | S. I. Krukovskij |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
2006
|
| Series: | Technology and design in electronic equipment |
| Online Access: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455221 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASSimilar Items
-
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012) -
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2011) -
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012) -
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
by: Круковський, С.І., et al.
Published: (2011) -
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2012)