Influence of the plasma chemical etching on the silicon plates surface of photo electric converters
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | B. P. Polozov, O. A. Fedorovich, V. N. Golotjuk, A. A. Marinenko, D. V. Lukomskij |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2006
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455229 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Modernized equipment for plasmachemical etching of insulation of p-n transition of photoelectric converters
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2007) -
Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017) -
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015) -
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017) -
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)