Isothermal section of the Ti—Al—Ga system at 850 °S
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автори: | N. M. Biliavyna, O. I. Nakonechna, A. M. Kuryliuk, V. A. Makara |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001106107 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C
за авторством: N. V. Holovata, та інші
Опубліковано: (2013) -
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Ti—Al—Ga при 850 °С
за авторством: Білявина, Н.М., та інші
Опубліковано: (2020) -
TiN crystal structure features in cBN—TiN—Al composite sintered at high pressures and temperatures
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2022) -
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017) -
Глибокі корені. До 850-річчя Бахмача
за авторством: Задко, B.
Опубліковано: (1997)