Isothermal section of the Ti—Al—Ga system at 850 °S
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | N. M. Biliavyna, O. I. Nakonechna, A. M. Kuryliuk, V. A. Makara |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2020
|
| Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001106107 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C
за авторством: N. V. Holovata, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. V. Holovata, та інші
Опубліковано: (2013)
TiN crystal structure features in cBN—TiN—Al composite sintered at high pressures and temperatures
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2022)
Глибокі корені. До 850-річчя Бахмача
за авторством: Задко, B.
Опубліковано: (1997)
за авторством: Задко, B.
Опубліковано: (1997)
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Formation of multicomponent solid solutions in cBN—TiC— VN —Al system at high pressure composite sintering
за авторством: N. M. Belyavina, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: N. M. Belyavina, та інші
Опубліковано: (2024)
Разработка технологии многоручьевой прокатки-разделения на стане 850
за авторством: Жучков, С.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Жучков, С.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Obtaining and crystal structure of graphite intercaled by nickel
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2021)
Isothermal oxidation of the Cu1–xZnx solid solution powders
за авторством: M. V. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. V. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2011)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanochemical synthesis of NiCx carbide with the sphaleritetype defect structure
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2019)
Formation of cold cracks in welded joints of high-strength steels with 350-850 MPa yield strength
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2013)
Features of the structure of phase formation in the Fe—Ga—Al system
за авторством: D. A. Honcharuk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: D. A. Honcharuk, та інші
Опубліковано: (2022)
Magnetic features of NiCx carbide with the sphaleritetype structure
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2019)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Errata: Analysis of the Al Nanocrystals Nucleation in Amorphous Al87Ni8Y5 Alloy under Isothermal Conditions
за авторством: S. G. Rassolov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. G. Rassolov, та інші
Опубліковано: (2013)
Structure and mechanical properties of multilayer vacuum-arc condensates of Ti/Al and Ti/TiAlSi systems
за авторством: A. V. Demchishin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Demchishin, та інші
Опубліковано: (2016)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2001)
On the issue of athermal and isothermal martensites
за авторством: S. P. Oshkadjorov
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. P. Oshkadjorov
Опубліковано: (2011)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Physico-chemical properties of the alloys of binary Y—B (Al, Ga, In) systems
за авторством: V. G. Kudin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. G. Kudin, та інші
Опубліковано: (2012)
Non-isothermal physical and chemical processes in superfluid helium
за авторством: Gordon, E.B., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gordon, E.B., та інші
Опубліковано: (2017)
Solid phase interaction of TiC with ZrC or ZrN under mechanochemical synthesis and HPHT powder
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2022)
The features of NiCx (x < 0.33) phase formation at the mechanochemical alloying of Ni—CNT and N—graphite mixtures
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2020)
The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of isothermal quenching temperature on strain hardening of ADI
за авторством: K. O. Hohaev, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: K. O. Hohaev, та інші
Опубліковано: (2020)
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of Isothermal Quenching from the Liquid State on the Microstructure of Cu47Ni8Ti34Zr11 Alloy
за авторством: A. B. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. B. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Discharge-pulse treatment of the Al – Ti – C system modifier
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: L. M. Lobanov, та інші
Опубліковано: (2021)
The eutectic alloy in the Nb—Ti—Al—Cr—Zr system
за авторством: N. P. Brodnikovskij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. P. Brodnikovskij, та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C
за авторством: N. V. Holovata, та інші
Опубліковано: (2013) -
TiN crystal structure features in cBN—TiN—Al composite sintered at high pressures and temperatures
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2022) -
Глибокі корені. До 850-річчя Бахмача
за авторством: Задко, B.
Опубліковано: (1997) -
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017) -
Formation of multicomponent solid solutions in cBN—TiC— VN —Al system at high pressure composite sintering
за авторством: N. M. Belyavina, та інші
Опубліковано: (2024)