Formation of neutral atomic beam for dry etching and study its charachteristics
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | A. V. Voznyj, Dzh. Ju. Jam, Ju. Kropotov, V. I. Farenik |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2006
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855337 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
High voltage beam discharge in nitrogen with fast neutral atom reflection from tantalum cathode
за авторством: Boldasov, V.S., та інші
Опубліковано: (2021) -
High-frequency discharges of low pressure in vacuum-plasma technology of low power-consuming for microstructure etching
за авторством: V. I. Farenik
Опубліковано: (2004) -
Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006) -
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015) -
The beam space charge neutralization in UNDULAC-E
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2010)