Зображення обкладинки

Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2023
Автори:	V. A. Karpyna, L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, M. E. Bugaiova, L. I. Petrosian, O. I. Bykov, O. I. Olifan, V. V. Strelchuk, O. F. Kolomys, V. R. Romanyuk, Naumenko K. S., Artiukh L. O., Povnitsa O. Y., Zahorodnia S. D., Ievtushenko A. I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2023
Назва видання:	Chemistry, physics and technology of surface
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001393505
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
за авторством: Karpyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2023)

The Effect of Ag-Doping on the Cytotoxicity of ZnO Nanostructures Grown on Ag/Si Substrates by APMOCVD
за авторством: K. S. Naumenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Властивості конгломератів ZnO-Zn, вирощених на неполірованій підкладці Si методом карботермічного відновлення при швидкому сонячному випаровуванні
за авторством: Kovalskyi, Y.O., та інші
Опубліковано: (2026)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
за авторством: Koziarskyi, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)

Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)

Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2023)

The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2023)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022)

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
за авторством: Suchikova, Y. O., та інші
Опубліковано: (2022)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)

Methods of Ti-Si and Ti-Si-X systems alloys melting
за авторством: N. N. Kuzmenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO₂ structure
за авторством: Steblenko, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and sathodoluminescence in Si/SiO2 structure
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Structure and mechanical stresses in TaSi₂/Si multilayer
за авторством: Devizenko, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)

Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
за авторством: Yatsunskiy, I.R., та інші
Опубліковано: (2010)

Characteristics of the formation of nanostructured polymer systems with ≡SI–O–SI≡ -groups
за авторством: L. N. Jashchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Photocatalysis by TiO₂ films at structure relaxation
за авторством: Dmytrenko, O.P., та інші
Опубліковано: (2007)