Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers
Gespeichert in:
| Datum: | 2023 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | V. A. Karpyna, L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, M. E. Bugaiova, L. I. Petrosian, O. I. Bykov, O. I. Olifan, V. V. Strelchuk, O. F. Kolomys, V. R. Romanyuk, Naumenko K. S., Artiukh L. O., Povnitsa O. Y., Zahorodnia S. D., Ievtushenko A. I. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2023
|
| Schriftenreihe: | Chemistry, physics and technology of surface |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001393505 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
von: Karpyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Karpyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
The Effect of Ag-Doping on the Cytotoxicity of ZnO Nanostructures Grown on Ag/Si Substrates by APMOCVD
von: K. S. Naumenko, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: K. S. Naumenko, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
von: A. Sarikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. Sarikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Властивості конгломератів ZnO-Zn, вирощених на неполірованій підкладці Si методом карботермічного відновлення при швидкому сонячному випаровуванні
von: Kovalskyi, Y.O., et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Kovalskyi, Y.O., et al.
Veröffentlicht: (2026)
Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
von: V. A. Danko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: V. A. Danko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
von: Bunak, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Bunak, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
von: V. V. Kidalov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: V. V. Kidalov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)
The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2023)
The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
von: Y. O. Suchikova, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Y. O. Suchikova, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
von: Suchikova, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Suchikova, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
von: S. V. Bunak, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: S. V. Bunak, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
von: I. P. Lisovskyy, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: I. P. Lisovskyy, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Methods of Ti-Si and Ti-Si-X systems alloys melting
von: N. N. Kuzmenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: N. N. Kuzmenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
von: Lisovskyy, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Lisovskyy, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO₂ structure
von: Steblenko, L.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Steblenko, L.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and sathodoluminescence in Si/SiO2 structure
von: L. P. Steblenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: L. P. Steblenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Structure and mechanical stresses in TaSi₂/Si multilayer
von: Devizenko, A.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Devizenko, A.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
von: E. V. Mikhajlovskaja, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: E. V. Mikhajlovskaja, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
von: Yatsunskiy, I.R., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Yatsunskiy, I.R., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Characteristics of the formation of nanostructured polymer systems with ≡SI–O–SI≡ -groups
von: L. N. Jashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: L. N. Jashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Photocatalysis by TiO₂ films at structure relaxation
von: Dmytrenko, O.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Dmytrenko, O.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ähnliche Einträge
-
Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
von: Karpyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2023) -
The Effect of Ag-Doping on the Cytotoxicity of ZnO Nanostructures Grown on Ag/Si Substrates by APMOCVD
von: K. S. Naumenko, et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
von: A. Sarikov, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Властивості конгломератів ZnO-Zn, вирощених на неполірованій підкладці Si методом карботермічного відновлення при швидкому сонячному випаровуванні
von: Kovalskyi, Y.O., et al.
Veröffentlicht: (2026) -
Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)