Зображення обкладинки

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автори:	A. V. Zinovchuk, Ye. O. Sevostianov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2020
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127922
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)

Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Features of Auger-emission in channeling
за авторством: I. A. Kossko, та інші
Опубліковано: (2014)

Auger Spectra and Different Ionic Charges Following 3s, 3p and 3d Sub-Shells Photoionization of Kr Atoms
за авторством: Lotfy, Y.A, та інші
Опубліковано: (2006)

Features of Auger-emission in channeling
за авторством: Kossko, I.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
за авторством: Осинский, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of structure disordered medium on the kinetics of germinate recombination
за авторством: V. P. Shkilev, та інші
Опубліковано: (2015)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Atomic disordering and electron band structure in the Heusler alloy CoTiSb
за авторством: V. M. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2017)

Atomic disordering and electron band structure in the Heusler alloy CoTiSb
за авторством: V. N. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)

Self-associated atomic groups in Ga–Sn liquid alloys
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2021)

Self-associated atomic groups in Ga–Sn liquid alloys
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2021)

Excitation dynamics of the 5p6 auger spectra in Ba + e– collisions
за авторством: O. O. Borovik
Опубліковано: (2024)

Excitation dynamics of the 5p6 auger spectra in Ba + e– collisions
за авторством: O. O. Borovik
Опубліковано: (2024)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)

Results from the Pierre Auger Observatory
за авторством: R. Љmнda
Опубліковано: (2012)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

The Pierre Auger observatory: Studying the highest energy frontier
за авторством: I. Valiño
Опубліковано: (2019)

The Pierre Auger observatory: Studying the highest energy frontier
за авторством: I. Valiño
Опубліковано: (2019)

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)