Зображення обкладинки

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автори:	A. V. Zinovchuk, Ye. O. Sevostianov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2020
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127922
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Self-associated atomic groups in Ga–Sn liquid alloys
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2021)

Self-associated atomic groups in Ga–Sn liquid alloys
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2021)

Atomic disordering and electron band structure in the Heusler alloy CoTiSb
за авторством: V. M. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2017)

Atomic disordering and electron band structure in the Heusler alloy CoTiSb
за авторством: V. N. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2017)

The Pierre Auger observatory: Studying the highest energy frontier
за авторством: I. Valiño
Опубліковано: (2019)

The Pierre Auger observatory: Studying the highest energy frontier
за авторством: I. Valiño
Опубліковано: (2019)

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of alloying elements, rate of cooling and deformation on the electrical conductivity of copper alloys
за авторством: A. M. Verkhovljuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of crystallization rate on the microstrusture and properties of Ti–TiB alloy
за авторством: D. O. Remizov, та інші
Опубліковано: (2020)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Recombinational origin of the nuclear introns
за авторством: O. V. Pidpala, та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)

Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

The influence of solidification rate on the formation quasicrystalline phase in of Ti – Cr – Al – Si alloys
за авторством: M. O. Krapivka, та інші
Опубліковано: (2017)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of the martensitic transformation kinetics on the migration of atoms
за авторством: Yu. M. Koval, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of atoms of nitrogen and boron atoms inserted into graphene-like matrix on molecular hydrogen adsorption
за авторством: Ye. M. Demianenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Low-Frequency Carbon Recombination Lines
за авторством: Konovalenko, O. O., та інші
Опубліковано: (2013)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

Multiple nuclear spin echoes in the Ni₅₄.₁Mn₂₀.₇Ga₂₅.₂ alloy
за авторством: Kotov, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: G. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)

Cross-section calculations of (n, 2n) and (n, p) reactions for 69,71Ga and 75As target nuclei up to 20 MeV
за авторством: H. Sahan, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Obtaining of the recombinant Rhil7-Cbd fusion protein
за авторством: M. O. Usenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Increasing of the expression of recombinant scFv-antibodies efficiency
за авторством: O. V. Galkin, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of surface effects on neutron skin in atomic nuclei
за авторством: S. V. Lukyanov, та інші
Опубліковано: (2020)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)