Зображення обкладинки

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2024
Автори:	M. Y. Chumak, P. G. Lytovchenko, I. V. Petrenko, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2024
Назва видання:	Nuclear physics and atomic energy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001494051
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)

Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Mechanical properties of boron phosphides
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical properties of boron phosphides
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2012)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)

Excitons into one-axis crystals of zinc phosphide (Zn₃P₂)
за авторством: Stepanchikov, D.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)

On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Self-propagating high-temperature synthesis of boron phosphide
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2013)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Measurement of the photometric characteristics of LEDs
за авторством: Nazarenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Cadmium phosphide as a new material for infrared converters
за авторством: Stepanchikov, D., та інші
Опубліковано: (2006)

Quasi-active thermal control in LED street lights
за авторством: Y. V. Trofimov, та інші
Опубліковано: (2013)

The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)

Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Degradation processes in LED modules
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016)

Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)

Degradation processes in LED modules
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)

High-pole LED lighting system
за авторством: Y. V. Trofimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)