Зображення обкладинки

Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2024
Автори:	G. P. Gaidar, S. V. Berdnichenko, V. G. Vorobyov, V. I. Kochkin, V. F. Lastovetskiy, P. G. Litovchenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2024
Назва видання:	Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001486323
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

The peculiarities of the influence of physical fields on the processes of structure formation and properties of polymer systems
за авторством: V. O. Ovsiankina
Опубліковано: (2015)

Photopleochroism of surface-barrier structures based on semiinsulating cadmium telluride
за авторством: Ilchuk, G.A.
Опубліковано: (2000)

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)

Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
за авторством: P. V. Parfenyuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
за авторством: Parfenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Physical-chemical processes in castings with wear-resistant surface alloying
за авторством: A. G. Kovalchuk, та інші
Опубліковано: (2018)

Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)

Radiation-induced effects in silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)

Nuclear microanalysis study of surface nanolayers in gold-silicon structures
за авторством: V. I. Soroka, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of silicon on structure formation in liquid Fe-C alloys
за авторством: V. S. Luchkin, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Ozone generator based on surface dielectric barrier discharge with pulse power supply
за авторством: Lozina, A.S., та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)

Kinetics of plasmachemical processes in barrier discharge on ambient air
за авторством: Soloshenko, I.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Peculiarities of current transport in titanium oxide-silicon heterostructures
за авторством: Yu. S. Milovanov, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)