Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
Збережено в:
Дата: | 2024 |
---|---|
Автори: | V. V. Kidalov, A. F. Dyadenchuk, A. G. Zhuk, O. Y. Gudimenko, S. V. Simchenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2024
|
Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001504130 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018) -
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018) -
Investigation of the effect of SiC content on the microstructure, physical properties and hardness of SiC/Ni composites
за авторством: Hanan M. Makled, та інші
Опубліковано: (2019) -
Investigation of structure and properties of composite material Al₂O₃-SiC obtained by electroconsolidation process
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2018)