Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2020
Автори: R. Marki, M. Zaabat
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2020
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151462
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS