Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автори: | R. Marki, M. Zaabat |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151462 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Comparison of some different ways used for approximate solution of kinetic equation and calculations of carrier mobility
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2017) -
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014) -
Two-dimensional modeling the static parameters for a submicron field-effect transistor
за авторством: Zaabat, M., та інші
Опубліковано: (2009) -
Thermoelectric properties, Shubnikov–de Haas effect and mobility of charged carriers in telluride and selenide of bismuth and antimony and nanocomposite based on these materials
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2017)