Shunt current in InAs diffused photodiodes
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2020
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151472 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015) -
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011) -
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018) -
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)