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The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2020
Hauptverfasser:	M. N. Vinoslavskij, P. A. Beljovskij, V. N. Poroshin, V. V. Vajnberg, N. V. Bajdus
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2020
Schriftenreihe:	Low Temperature Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151503
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