Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автори:	V. N. Litvinenko, Ye. A. Baganov, I. M. Vikulin, V. E. Gorbachev
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2020
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194825
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: Vikulin, I.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Improving parameters of planar pulse diode using gettering
за авторством: V. M. Lytvynenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2020)

Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування
за авторством: Litvinenko, Viktor, та інші
Опубліковано: (2021)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2014)

Metrological aspects of researching the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2014)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

Structure and physical characteristics of ohmic contacts based on Fe and Ge films
за авторством: Vlasenko, О.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
за авторством: Litvinenko, V., та інші
Опубліковано: (2019)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism in ohmic contacts to GaN
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2013)

Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density
за авторством: Sai, P.O., та інші
Опубліковано: (2018)