Buchumschlag

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2020
Hauptverfasser:	V. N. Litvinenko, Ye. A. Baganov, I. M. Vikulin, V. E. Gorbachev
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2020
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194825
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: V. N. Litvinenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
von: Boltovets, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
von: M. S. Boltovets, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
von: I. M. Vikulin, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Improving parameters of planar pulse diode using gettering
von: V. M. Lytvynenko, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Method for data processing in application to ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Method for data processing in application to ohmic contacts
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування
von: Litvinenko, Viktor, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: Sai, P.O.
Veröffentlicht: (2016)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: P. O. Sai
Veröffentlicht: (2016)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
von: V. N. Sheremet
Veröffentlicht: (2014)

Metrological aspects of researching the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
von: Sheremet, V.N.
Veröffentlicht: (2014)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
von: Kudryk, Ya.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
von: Ivanov, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
von: Borisko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2000)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
von: V. V. Basanets, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
von: A. Sarikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Structure and physical characteristics of ohmic contacts based on Fe and Ge films
von: Vlasenko, О.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
von: Ya. Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
von: Litvinenko, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)