Зображення обкладинки

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автори:	M. S. Kukurudziak, O. P. Andreeva, V. M. Lipka
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2020
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194859
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
за авторством: Kukurudziak , Mykola, та інші
Опубліковано: (2020)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

Precise measurements of the wavelength in KrCl laser spectral region (222 nm)
за авторством: Zubrilin, N.G., та інші
Опубліковано: (2016)

Precise measurements of the wavelength in KrCl laser spectral region (222 nm)
за авторством: N. G. Zubrilin, та інші
Опубліковано: (2016)

Multilayer periodic compositions of ZrC/Mg for a wavelength of 30.4 nm
за авторством: L. E. Konotopskij, та інші
Опубліковано: (2015)

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: A. V. Kopyshinsky, та інші
Опубліковано: (2012)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

Center-to-limb variation of the Mn I 539.5 nm and the Mn I 543.2 nm line profiles
за авторством: Vince, I., та інші
Опубліковано: (2003)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation High Sensitive Photo Detector Device Based on the Avalanche Photodiode for Optoelectronic Measuring Systems
за авторством: I. A. Braginets, та інші
Опубліковано: (2016)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)

Structural and mechano_chemical features of high_pressure phases forming at p, T and p-treatment of graphite
за авторством: A. V. Lysenko
Опубліковано: (2014)

Structural and mechano_chemical features of high_pressure phases forming at p, T and p-treatment of graphite
за авторством: A. V. Lysenko
Опубліковано: (2014)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

(Review:) N.M. Nikitenko, Baroko Sofii Kyivskoi, K. (Lybid) 2015, 272 s.: il. (N.M. Nikitenko, Baroque of St. Sophia in Kyiv, K. (Lybid) 2015, 272 p.; ill.)
за авторством: D. Hordiienko
Опубліковано: (2016)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)

Diffusive Phase Formation in the Nanosize Layer-by-Layer Film Compositions of Pt(15 nm)/Fe(15 nm) and (Pt(7.5 nm)/Fe(7.5 nm))2 on a SiO2(100 nm)/Si(001) Substrate
за авторством: Yu. N. Makohon, та інші
Опубліковано: (2014)

I. P. Grygoryuk, S. P. Mashkovska, P. P. Yavorovskyi, O. V. Kolesnichenko. Biology of horse-chesnuts
за авторством: M. A. Kokhno
Опубліковано: (2004)

Resistance of graphite materials under high pressure and high temterature
за авторством: O. V. Savitskyi, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

Effect of high-temperature thermocycling on deposited metal of die heat-resistant steels type
за авторством: I. A. Rjabtsev, та інші
Опубліковано: (2012)

Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)