Зображення обкладинки

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автори:	M. S. Kukurudziak, O. P. Andreeva, V. M. Lipka
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2020
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194859
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
за авторством: Kukurudziak , Mykola, та інші
Опубліковано: (2020)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

Precise measurements of the wavelength in KrCl laser spectral region (222 nm)
за авторством: N. G. Zubrilin, та інші
Опубліковано: (2016)

Precise measurements of the wavelength in KrCl laser spectral region (222 nm)
за авторством: Zubrilin, N.G., та інші
Опубліковано: (2016)

Multilayer periodic compositions of ZrC/Mg for a wavelength of 30.4 nm
за авторством: L. E. Konotopskij, та інші
Опубліковано: (2015)

p, T, E-diagram of Sn₂P₂S₆ ferroelectric with high-pressure incommensurate phase
за авторством: Kedyulich, V.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)

Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: Kopyshinsky, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: A. V. Kopyshinsky, та інші
Опубліковано: (2012)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)

Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions
за авторством: Hodovaniouk, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2012)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation High Sensitive Photo Detector Device Based on the Avalanche Photodiode for Optoelectronic Measuring Systems
за авторством: I. A. Braginets, та інші
Опубліковано: (2016)

New phoswich detector based on LFS and p-terphenyl scintillators coupled to micro pixel avalanche photodiode
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2017)

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Phase transitions in Sn₂P₂S₆ ferroelectric under high pressures
за авторством: Slivka, A.G., та інші
Опубліковано: (1999)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

Structural and mechano_chemical features of high_pressure phases forming at p, T and p-treatment of graphite
за авторством: A. V. Lysenko
Опубліковано: (2014)

Structural and mechano_chemical features of high_pressure phases forming at p, T and p-treatment of graphite
за авторством: A. V. Lysenko
Опубліковано: (2014)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)

Gas and dust in Comet 2P/Encke observed in the visual and submillimeter wavelength ranges
за авторством: Jockers, K., та інші
Опубліковано: (2005)

Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width
за авторством: Emad Hameed Hussein
Опубліковано: (2009)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)

Voids’ layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions
за авторством: Starchyk, M.I., та інші
Опубліковано: (2015)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Formation and thermal stability of NiSi phase in Ni (30 nm)/Pt (2 nm; 6 nm)/Siep. (50 nm)/Si (001) thin film systems
за авторством: Makogon, Iu.N., та інші
Опубліковано: (2013)

Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Center-to-limb variation of the Mn I 539.5 nm and the Mn I 543.2 nm line profiles
за авторством: Vince, I., та інші
Опубліковано: (2003)