Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автори: | V. V. Tsybulenko, S. V. Shutov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194862 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006) -
Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)