Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | V. V. Tsybulenko, S. V. Shutov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2020
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194862 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)
Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates
за авторством: Tsarenko, O.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Tsarenko, O.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Growing of containerized oak seedlings using substrates of different composition
за авторством: V. V. Hupal
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Hupal
Опубліковано: (2016)
Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)
Statistical Modeling of Skills Mismatch in the Labor Market
за авторством: L. M. Ilich, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: L. M. Ilich, та інші
Опубліковано: (2019)
On the Applicability of the Phase Scanning Method in Antenna Arrays of Chirp Pulse Radars
за авторством: V. G. Galushko
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. G. Galushko
Опубліковано: (2019)
ON THE APPLICABILITY OF THE PHASE SCANNING METHOD IN ANTENNA ARRAYS OF CHIRP PULSE RADARS
за авторством: Galushko, V. G., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Galushko, V. G., та інші
Опубліковано: (2019)
On the Applicability of the Phase Scanning Method in Antenna Arrays of Chirp Pulse Radars
за авторством: V. G. Galushko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. G. Galushko, та інші
Опубліковано: (2019)
Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
Peculiarities of the PbTe nano-islet formation on BaF₂ substrate at "hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy
за авторством: Sheremeta, T.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Sheremeta, T.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Polymorphism of DNA mismatch repair genes in endometrial cancer
за авторством: Poplawski, T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Poplawski, T., та інші
Опубліковано: (2015)
Polymorphism of DNA mismatch repair genes in endometrial cancer
за авторством: T. Poplawski, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. Poplawski, та інші
Опубліковано: (2015)
Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornychenko
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Dvornychenko
Опубліковано: (2021)
Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornichenko
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Dvornichenko
Опубліковано: (2021)
Scanning Acoustic Microscopy of Annealing Effects for Aluminium Thin Film Deposited on Silicon Substrate
за авторством: Chafia Atailia, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Chafia Atailia, та інші
Опубліковано: (2018)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
VUV stimulated solid-phase reactions on the surface on Ni nano-layers on Si substrate
за авторством: Mikhailov, I.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Mikhailov, I.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: V. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2010)
Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: Osinsky, V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Osinsky, V., та інші
Опубліковано: (2010)
Andreev-reflection spectroscopy of ferromagnets: the impact of Fermi surface mismatch
за авторством: Tuuli, E., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Tuuli, E., та інші
Опубліковано: (2011)
Andreev-reflection spectroscopy of ferromagnets: the impact of Fermi surface mismatch
за авторством: E. Tuuli, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. Tuuli, та інші
Опубліковано: (2011)
Nanostructurization of a Surface of a Heteroepitaxial CdHgTe Film by a Method of the Ion Implantation of Ag+
за авторством: R. S. Udovytska
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. S. Udovytska
Опубліковано: (2015)
A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: Sukhovii, N. O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sukhovii, N. O., та інші
Опубліковано: (2018)
A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: N. O. Sukhovii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. O. Sukhovii, та інші
Опубліковано: (2018)
The study of mismatch repair in endometrial cancer patients with a family history of cancer
за авторством: L. G. Buchynska, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: L. G. Buchynska, та інші
Опубліковано: (2015)
The study of mismatch repair in endometrial cancer patients with a family history of cancer
за авторством: Buchynska, L.G., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Buchynska, L.G., та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006) -
Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)