Зображення обкладинки

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	V. N. Litvinenko, I. M. Vikulin, V. E. Gorbachev
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000994766
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Improving parameters of planar pulse diode using gettering
за авторством: V. M. Lytvynenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Schottky Diode Tripler in the 3-mm Wave Receiver for Investigation of Atmospheric Gases
за авторством: V. I. Podjachij
Опубліковано: (2015)

SCHOTTKY DIODE TRIPLER IN THE 3-MM WAVE RECEIVER FOR INVESTIGATION OF ATMOSPHERIC GASES
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)

Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
за авторством: R. Nizam, та інші
Опубліковано: (2012)

Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
за авторством: Litvinenko, V., та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2008)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)

Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2020)

Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
за авторством: V. A. Pilipenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування
за авторством: Litvinenko, Viktor, та інші
Опубліковано: (2021)

Operational characteristics of the electron accelerator based on the plasma-filled diode
за авторством: Skibenko, E.I., та інші
Опубліковано: (2021)

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001)