Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | V. N. Litvinenko, I. M. Vikulin, V. E. Gorbachev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000994766 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019) -
Improving parameters of planar pulse diode using gettering
за авторством: V. M. Lytvynenko, та інші
Опубліковано: (2021) -
Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013) -
Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)